MOS管的驱动电路有两个要点：
1、瞬态驱动电流要够大，所谓驱动MOS管，主要就是对MOS管门极的寄生电容的充电放电，也就是打开和关闭MOS管
2、NMOS的Vgs(门-源电压)高于4V即可导通，PMOS的Vgs(门-源电压)低于4V即可导通
直接驱动NMOS
R1为负载
仅适用于NMOS低端驱动，因为NMOS导通的条件是：Vgs高于4V左右，5V的PWM波刚好满足要求（3.3V的低压单片机这里就有无法完全打开NMOS的风险，表现为MOS发热，或者负载两端电压过低）
推挽输出（图腾柱式驱动）
R1为负载
这个电路是共射极放大电路，主要是起到放大MOS管门极的驱动电流，不能放大电压，
适用于NMOS低端驱动，单片机直接驱动MOS管的门极时，电流不够，开关速度过慢，MOS管发热时，可以增加驱动电流，实现更快速的MOS管的开关
一种变换电压的推挽式驱动电路
R3为负载
如果采用PMOS作为高端驱动的话，那么关断PMOS就要使门极电压至少等于源极电压
采用两个NPN三极管+ 一个二极管，实现给PMOS门极0V~12V的快速变换
当然也可以用于NMOS的低端驱动
此电路同时适用于3.3V输出的单片机
采用半桥芯片实现半桥驱动电路
EG3013等半桥芯片的好处是：
1、可以使用两个NMOS实现半桥电路，便宜
2、自举升压电路，方便
3、自带死区控制（避免两个MOS同时导通），安全
缺点嘛。。。有点慢，高频闪烁来控制亮度的话，不太行，如果是控制电机正反转，低频启停用电器话，肯定是没问题的
不一定是用来做半桥，单拿出一路也能直接驱动NMOS，做高低端驱动都可以。
